Сотрудниками отдела поисковых ростовых технологий Института кристаллографии имени А.В. Шубникова ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН впервые получены совершенные тонкие пленки нитрида алюминия способом прямой термической нитридизации тонких пленок алюминия на сапфире.
Нитрид алюминия имеет большой потенциал для полупроводниковых технологий будущего.Основным препятствием для его промышленного применения является дороговизна синтеза как объемных кристаллов, так и высококачественных тонких пленок этого соединения. Разработанный научным коллективом ИК РАН передовой метод позволяет решить обе эти проблемы.
Суть метода получения тонких пленок AlN состоит в нанесение пленок алюминия на сапфировые подложки и последующем отжиге пленок в атмосфере азота. В работе исследованы различные режимы получения и предложены оптимальные параметры проведения процесса для получения высококачественных пленок нитрида алюминия.
Разработанный метод прямой термической нитридизации пленок алюминия на сапфире является более экономичным и эффективным по сравнению с применяемыми на сегодняшний день методиками. Кроме того, он позволяет масштабировать процесс на подложки больших диаметров.
Публикация:
А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, А.Б. Колымагин, А.М. Клевачев, С.Н. Сульянов, В.М. Каневский. Структура пленок AlN, полученных нитридизацией слоев алюминия на сапфировых подложках. // Прикладная физика, 2017, № 5, С. 87-91.